闻泰科技取得阶段性重大进展 自主设计研发IGBT系列产品流片成功(闻泰科技再创阶段新低)

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【手机之家**】3月9日，闻泰科技股份有限公司日前宣布，旗下专注高压功率器件、模拟 IC 等新产品研发方向的全资子公司 Nexperia B.V.（“安世半导体”）自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（Insulated GateBipolar Transistor ，以下简称“IGBT”）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求。

闻泰科技取得阶段性重大进展 自主设计研发IGBT系列产品流片成功(闻泰科技再创阶段新低)

据了解，IGBT是电源转换的核心器件，也是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术，具有开关速度快、载流密度大等特点，并拥有广泛的应用市场，主要面向新能源汽车、光伏/风力发电、智能电网、大功率电源、工业控制、家电产品等领域。其市场空间大、技术壁垒高且注重工程师经验和品牌口碑积累，是半导体里的优质赛道。

目前，IGBT 流片成功后，仍需经过客户验证，后续量产计划具有不确定性。

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